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IXFH26N60Q

6 ampere electronic component, 600 volt MOSFET

在庫：5,648

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概要 IXFH26N60Q

The IXFH26N60Q, a standout member of the Q-Class series, is a highly sought-after Power MOSFET, well-regarded for its exceptional performance in both hard switching and resonant mode applications. With its low gate charge and impressive ruggedness, along with a fast intrinsic diode, this device is a top choice for industrial applications. Its availability in numerous standard industrial packages, including isolated types, further underscores its versatility and suitability for varying industrial needs

主な特長

  • Enhanced Conduction Path
  • Rapid Recovery Time
  • Superior Heat Dissipation
  • Reliable Performance

応用

  • Energy-saving
  • Cost-effective
  • Versatile usage

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 600 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.25
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 28 Gate Charge (nC) 150
Input Capacitance, CISS (pF) 5100 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.35
Configuration Single Package Type TO-247
Power Dissipation (W) 357 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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