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IXFH320N10T2

Product IXFH320N10T2 is a N Channel MOSFET with a voltage rating of 100V and a current rating of 320A

在庫：8,706

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概要 IXFH320N10T2

N-Channel 100 V 320A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

主な特長

  • High Current Handling Capability
  • Fast Intrinsic Diode
  • Avalanche Rated
  • Fast Intrinsic Diode
  • Low RDS(on)

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Id - Continuous Drain Current 320 A Rds On - Drain-Source Resistance 3.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Qg - Gate Charge 430 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 1 kW
Channel Mode Enhancement Tradename HiPerFET
Series IXFH320N10 Brand IXYS
Configuration Single Fall Time 177 ns
Forward Transconductance - Min 130 S Product MOSFETs
Product Type MOSFET Rise Time 46 ns
Factory Pack Quantity 30 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 73 ns
Typical Turn-On Delay Time 36 ns Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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