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IXFK150N30P3

Power transistor with N-type channel, able to handle maximum 300 volts and 150 amps of current

在庫:4,501

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概要 IXFK150N30P3

Discover the unmatched performance of the IXFK150N30P3 from the PolarP3™ HiPerFET™ product series. Ideal for voltage requirements between 300V to 600V, this semiconductor device boasts a superior Figure of Merit (FOM) derived from optimized Qg and RDS(on) characteristics. Benefit from up to a 12 percent reduction in on-state resistance (Rdson), 14 percent decrease in gate charge (Qg), and an impressive 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). The IXFK150N30P3 is designed for enhanced thermal efficiency, thanks to reduced chip thicknesses that contribute to a higher overall power density. Elevate your electronic designs with the exceptional performance of the IXFK150N30P3

主な特長

  • High-reliability materials
  • Redundant power supplies
  • Silent operation mode
  • Smart monitoring system

応用

  • High-efficiency power supplies
  • Battery charging solutions
  • Precision motor controllers

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer LITTELFUSE INC Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Samacsys Manufacturer LITTELFUSE
Additional Feature AVALANCHE RATED Avalanche Energy Rating (Eas) 4000 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 300 V Drain Current-Max (ID) 150 A
Drain-source On Resistance-Max 0.019 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 40 pF JEDEC-95 Code TO-264AA
JESD-30 Code R-PSFM-T3 JESD-609 Code e1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1300 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 375 A
Surface Mount NO Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

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