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IXFN60N60

Semiconductor Modules 600V 60A Discrete

在庫：8,114

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概要 IXFN60N60

When it comes to Power MOSFETs for industrial applications, the IXFN60N60 from the N-Channel HiPerFET™ Standard series stands out for its low gate charge and excellent ruggedness. Ideal for both hard switching and resonant mode applications, this MOSFET offers superior performance and reliability. With its fast intrinsic diode, it's a top choice for engineers and designers looking for efficient and dependable solutions

主な特長

  • High Speed Operation
  • Ruggedized Package
  • Fully Isolated Design
  • Low Temperature Stability

応用

  • Advanced power technology
  • Efficient power management
  • Compact size

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 600 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.08
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 60 Gate Charge (nC) 380
Input Capacitance, CISS (pF) 15000 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.18
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 694 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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