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IXFN106N20

Discrete Semiconductor Modules IXFN106N20

数量 単価(USD) 合計金額
1 $59.494 $59.49
200 $23.738 $4,747.60
500 $22.946 $11,473.00
1000 $22.553 $22,553.00

在庫：5,908

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概要 IXFN106N20

The N-Channel HiPerFET™ Standard series, featuring product IXFN106N20, stands out as a premier selection for Power MOSFETs that excel in both hard switching and resonant mode operations. These MOSFETs offer a winning combination of low gate charge, superior ruggedness, and a high-speed intrinsic diode, ensuring optimal performance in a variety of industrial applications. Furthermore, the availability of standard industrial packages, including isolated types, underscores the adaptability and convenience of incorporating these MOSFETs into different projects and systems with ease

主な特長

  • Multiple Safety Features
  • Low ESR Capacitors
  • High Power Handling
  • Fast Response Time
  • Avalanche Rated Diodes

応用

  • Robust design
  • Excellent thermal characteristics
  • Low noise operation

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series HiPerFET™ Package Tube
Product Status Not For New Designs FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 106A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 521W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number IXFN106

保証と返品

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    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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