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IXFN200N10P

IXFN200N10P: N-Type Power MOSFET with 200A Current Rating and 100V Voltage Capability

在庫：6,807

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概要 IXFN200N10P

Designed to meet the demands of modern power systems, the IXFN200N10P excels in efficiency and robustness. Its optimized design allows for smooth operation and minimal power losses, making it a top choice for high-power applications where performance and reliability are critical

主な特長

  • Enhanced Thermal Management
  • Surface Mountable and Through-Hole Compatible
  • High-Quality Basing Material

応用

  • High-Efficiency Power Solutions

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 100 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.0075
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 200 Gate Charge (nC) 235
Input Capacitance, CISS (pF) 7600 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.22
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 680 Maximum Reverse Recovery (ns) 150
Sample Request No Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。