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IXFN210N20P

IXFN210N20P, classified as a Power Field-Effect Transistor, boasts a high current rating of 188A and a voltage tolerance of 200V

在庫：5,588

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概要 IXFN210N20P

A standout feature of the IXFN210N20P is its exceptionally low on-resistance of 0.03 ohms, which allows for optimal power dissipation and minimal power losses in high-power scenarios. Additionally, its high gate threshold voltage of 4V ensures steadfast performance in circuits requiring elevated voltage levels

主な特長

  • Silicon-Gate Technology
  • Ultra Low Saturation Current
  • Reduced Radiation Effects
  • Prolonged Shelf Life

応用

  • Efficient Power Conversion
  • High Voltage Handling
  • Low Switching Losses

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 200 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.0105
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 188 Gate Charge (nC) 255
Input Capacitance, CISS (pF) 18600 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.14
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 1070 Maximum Reverse Recovery (ns) 200
Sample Request Yes Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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