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IXFN360N10T

MOSFET IXFN360N10T: N-channel device designed for high-power applications, supporting up to 100 volts and 360 amps

在庫：8,361

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概要 IXFN360N10T

In terms of timing characteristics, the IXFN360N10T offers fast switching speeds with a fall time of 26ns, rise time of 142ns, turn-off delay time of 63ns, and turn-on delay time of 52ns. This facilitates efficient power switching and control in high-frequency applications, contributing to overall system performance

主な特長

  • High Power Density
  • Surge Protection
  • Low Inductance
  • Rapid Recovery Time

応用

  • High-performance inverters
  • Flexible voltage regulation
  • Advanced power electronics

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 100 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.0026
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 360 Gate Charge (nC) 525
Input Capacitance, CISS (pF) 33000 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.18
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 830 Sample Request Yes
Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。