• packageimg
packageimg

IXFN44N60

A high-power N-Channel Silicon MOSFET designated IXFN44N60, capable of handling 44A Drain Current at 600V Voltage, featuring low On-Resistance of 0

在庫：7,661

  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください IXFN44N60 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 IXFN44N60

In a competitive market where efficiency and reliability are paramount, the N-Channel HiPerFET™ Standard series, including the standout product IXFN44N60, shines as a leading choice for discerning customers. With its emphasis on low gate charge, excellent ruggedness, and fast intrinsic diode, this Power MOSFET delivers consistent and dependable performance in a variety of industrial settings. Whether you're looking for a MOSFET for hard switching or resonant mode applications, this series offers the versatility and quality you need

主な特長

  • Precise Current Handling
  • Fast Turn-on Speed
  • Low Saturation Current

応用

  • Reliable performance
  • Long operational life
  • Efficient power handling

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 600 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.13
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 44 Gate Charge (nC) 330
Input Capacitance, CISS (pF) 8900 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.22
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 568 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。