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IXFN48N50

Featuring a low on-resistance of just 100mΩ at 10V and 24A

数量 単価(USD) 合計金額
1 $27.618 $27.62
30 $26.700 $801.00

在庫：9,960

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概要 IXFN48N50

With product IXFN48N50 as a prime example, the N-Channel HiPerFET™ Standard series presents a comprehensive selection of Power MOSFETs tailored for diverse applications. Boasting low gate charge and exceptional ruggedness, this series is well-equipped to handle both hard switching and resonant mode tasks with ease. The inclusion of a fast intrinsic diode further enhances the performance of these MOSFETs, underscoring their efficiency and reliability for industrial use. Additionally, the availability of multiple standard industrial packages, including isolated types, contributes to the series' versatility and convenience for various setups and configurations

主な特長

  • High-Speed Switching Performance
  • Avalanche Ruggedized Design
  • Low Reverse Recovery Time
  • High Current Capability

応用

  • Efficient power solution
  • Advanced technology
  • Reliable performance

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 500 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.1
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 48 Gate Charge (nC) 270
Input Capacitance, CISS (pF) 8400 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.24
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 521 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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