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IXFN48N50U2

SOT-227B-packaged N-channel MOSFET capable of handling 500 volts and 48 amps

在庫：8,770

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概要 IXFN48N50U2

N-Channel 500 V 48A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

主な特長

  • Popular Buck & Boost circuit topologies
  • International standard package miniBLOC SOT-227B
  • Aluminium nitride isolation
  • - high power dissipation
  • Isolation voltage 3000 V~
  • Low RDS(on) HDMOS™ process
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Low drain-to-case capacitance (<60 pF)
  • - reduced RFI
  • Ultra-fast FRED diode with soft reverse recovery

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Discrete Semiconductor Modules RoHS Details
Product Power MOSFET Modules Technology Si
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Mounting Style Chassis Mount
Package / Case SOT-227-4 Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series HiPerFET
Brand IXYS Configuration Single
Fall Time 30 ns Height 9.6 mm
Id - Continuous Drain Current 48 A Length 38.2 mm
Number of Channels 1 Channel Pd - Power Dissipation 520 W
Product Type Discrete Semiconductor Modules Rds On - Drain-Source Resistance 100 mOhms
Rise Time 60 ns Factory Pack Quantity 10
Subcategory Discrete Semiconductor Modules Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 100 ns Typical Turn-On Delay Time 30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V Width 25.07 mm
Unit Weight 1.058219 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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