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IXFN50N120SK

Lead-free MOSFETs in SOT-227B package

在庫：5,266

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概要 IXFN50N120SK

Designed with convenience and durability in mind, the IXFN50N120SK comes in a compact and rugged package that is easy to install and handle. Its high thermal conductivity materials further improve heat dissipation, guaranteeing stable performance even in high temperature environments

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tube Product Status Active
FET Type N-Channel Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 20 V
Vgs (Max) +20V, -5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1895 pF @ 1000 V
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number IXFN50

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・交換：90日以内

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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