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IXFN56N90P

IXFN56N90P SOT-227B MOSFETs ROHS

在庫：9,038

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概要 IXFN56N90P

The product IXFN56N90P boasts superior performance and efficiency, making it an ideal choice for applications such as phase-shift bridges, motor control, and uninterruptible power supplies (UPS). With a faster body diode and reduced reverse recovery time (trr), these Polar™ HiPerFETs excel in delivering optimum functionality in demanding scenarios. The family of HiPerFETs is characterized by its low RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced DV/DT capability, ensuring reliable operation and enhanced performance

主な特長

  • Improved Efficiency
  • Fine Pitch Leaded Package
  • High Current Rating

応用

  • Innovative resonant-mode power supplies
  • Durable DC-DC converters
  • Smart battery chargers

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 900 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.145
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 56 Gate Charge (nC) 375
Input Capacitance, CISS (pF) 23000 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.125
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 1000 Maximum Reverse Recovery (ns) 300
Sample Request Yes Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。