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IXFN60N80P

N-channel MOSFET Transistor & Diode, IXYS IXFN60N80P, 800V, 53A, 4-Pin SOT-227B

数量 単価(USD) 合計金額
1 $18.040 $18.04
10 $17.386 $173.86
30 $16.254 $487.62
100 $15.264 $1,526.40

在庫：5,340

*価格は参考値です。
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概要 IXFN60N80P

In conclusion, the IXFN60N80P is a standout product in the Polar™ HiPerFETs family, offering unmatched performance and reliability for a variety of applications. With their fast body diode and reduced reverse recovery time, these HiPerFETs excel in phase-shift bridges motor control and UPS systems. Combine that with their low RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced DV/DT capability, and you have a winning solution for any project that demands high efficiency and power handling. Trust in the IXFN60N80P to deliver exceptional performance and reliability, no matter the task at hand

主な特長

  • Superior Noise Reduction
  • Efficient Cooling System
  • Improved Signal Integrity

応用

  • Efficient Energy Conversion
  • Smart Power Management

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 800 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.14
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 53 Gate Charge (nC) 250
Input Capacitance, CISS (pF) 18000 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.12
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 1040 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request Yes Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。