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IXFN70N120SK

Field-effect transistor for power applications

在庫：5,238

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概要 IXFN70N120SK

Experience the future of industrial power management with the IXFN70N120SK SiC mosfet. This advanced component features a 3000V isolation rating and a durable UL certified SOT227B package, providing exceptional safety and reliability for industrial applications. With a kelvin connection pin for enhanced efficiency, this mosfet excels in high-speed switch mode power supplies and pulsed power systems. Its impressive power cycling characteristics and rapid, low losses switching behavior make the IXFN70N120SK the go-to choice for demanding industrial environments

主な特長

International standard packages

JEDEC TO-264 AA, epoxy meet UL94V-0, flammability classification

miniBLOC with Aluminium nitride isolation

Low RDS (on) HDMOSTM process

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

Low package inductance

Fast intrinsic Rectifier

応用

DC-DC converters

Synchronous rectification

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode power supplies

DC choppers

Temperature and lighting controls

Low voltage relays

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tube Product Status Active
FET Type N-Channel Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 15mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161 nC @ 20 V
Vgs (Max) +20V, -5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2790 pF @ 1000 V
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number IXFN70

保証と返品

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