• IXFX120N20 TO-247-3
IXFX120N20 TO-247-3

IXFX120N20

200V, 120A MOSFET

数量 単価(USD) 合計金額
1 $36.729 $36.73
210 $14.655 $3,077.55
510 $14.166 $7,224.66
990 $13.924 $13,784.76

在庫：7,831

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概要 IXFX120N20

Featuring the IXFX120N20, the N-Channel HiPerFET™ Standard series stands out for its exceptional performance and reliability in power MOSFET applications. Designed to minimize gate charge and maximize ruggedness, these MOSFETs are well-suited for both hard switching and resonant mode operations. Additionally, the fast intrinsic diode further enhances the efficiency of these devices. Available in a variety of standard industrial packages, including isolated types, the HiPerFET™ Standard series offers engineers a convenient and flexible solution for their power electronics needs

主な特長

  • Efficient Heat Dissipation Design
  • Low EMI Radiated Emissions
  • High Efficiency Operation Guarantee

応用

  • Quick installation
  • Enhanced durability
  • User-friendly design

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 200 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.017
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 120 Gate Charge (nC) 300
Input Capacitance, CISS (pF) 9100 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.22
Configuration Single Package Type TO-247 PLUS
Power Dissipation (W) 568 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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