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IXKN45N80C

Power Field-Effect Transistor with 44A I(D)

在庫：7,727

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概要 IXKN45N80C

Leveraging the latest advancements in MOSFET technology, the IXKN45N80C Power MOSFETs offer unmatched performance with the lowest RDS(on) within the 600V-800V range. The incorporation of internal DCB isolation streamlines the assembly process and minimizes thermal resistance, effectively dissipating heat for enhanced durability. Additionally, these devices are designed to withstand avalanche conditions, ensuring robust operation in challenging scenarios

主な特長

  • Fiber optic communication
  • Data transmission protocol
  • Error correction algorithm

応用

  • Efficient power supplies
  • Reliable UPS systems
  • Improved energy usage
  • Robust welding performance
  • Fast heating capabilities

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series CoolMOS™ Package Tube
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 44A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Power Dissipation (Max) 380W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount Supplier Device Package SOT-227B
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC Base Product Number IXKN45

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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