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IXKN75N60C

High-power N-channel MOSFET transistor in a 4-pin SOT-227B package

在庫：6,201

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概要 IXKN75N60C

Furthermore, IXKN75N60C boasts a gate charge of 76nC and a low gate threshold voltage of 3V, making it compatible with standard gate drive circuits. This facilitates fast switching speeds and reduces power losses, ultimately enhancing the overall efficiency of the system. With these impressive specifications and features, IXKN75N60C is a top choice for high power applications where performance and reliability are paramount

主な特長

  • The IGBT transistor offers excellent noise immunity
  • This feature helps prevent electrical disturbances from affecting its performance
  • Ensuring reliable operation in industrial environments
  • Making it a suitable choice for motor control and power supply systems

応用

  • Powerful and efficient
  • Perfect for motor control
  • High voltage capabilities

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 600 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.036
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 75 Gate Charge (nC) 500
Input Capacitance, CISS (pF) 13600 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.22
Configuration Single Package Type SOT-227B (minibloc)
Typical Reverse Recovery Time (ns) 580 Power Dissipation (W) 560
Isolated Tab RMS Voltage (V) 2500 Sample Request No
Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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