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IXTH30N60L2

N-channel MOSFET transistor capable of handling 30A at 600V in TO-247AD package

在庫：7,767

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概要 IXTH30N60L2

Featuring a half-bridge configuration with two IGBTs, the IXTH30N60L2 module offers bi-directional control of current flow, allowing for versatile application in various industrial settings. Additionally, each IGBT is equipped with a freewheeling diode to manage energy dissipation during the flyback period, ensuring smooth operation in systems with inductive loads. Its compact yet robust packaging, coupled with low inductance and high thermal cycling capabilities, guarantees reliable performance even in harsh working environments

主な特長

  • Rugged design for harsh environments
  • Overcurrent protection for increased safety
  • Thermal shutdown for reliable operation
  • Low EMI for reduced electromagnetic interference

応用

  • Efficient power management
  • High current capabilities
  • Ideal for power supplies

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 600 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.24
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 30 Gate Charge (nC) 335
Input Capacitance, CISS (pF) 10700 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.23
Configuration Single Package Type TO-247
Typical Reverse Recovery Time (ns) 710 Power Dissipation (W) 540
Sample Request Yes Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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