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IXTH34N65X2

IXTH34N65X2 - Power Field-Effect Transistor

数量 単価(USD) 合計金額
1 $6.744 $6.74
10 $5.924 $59.24
30 $5.421 $162.63
90 $5.002 $450.18

在庫：7,311

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概要 IXTH34N65X2

Meet the extraordinary IXTH34N65X2, a product that redefines industry standards with its innovative design and exceptional performance. Developed utilizing the charge compensation principle and state-of-the-art process technology, these devices showcase the lowest on-state resistances, minimal gate charges, and superior dv/dt performance. With enhanced avalanche capability, these Ultra-Junction MOSFETs exhibit unparalleled ruggedness, ensuring reliable operation in challenging conditions. Furthermore, the inclusion of a fast soft-recovery body diode helps reduce switching losses and electromagnetic interference, leading to improved efficiency and performance

主な特長

  • Ultra low input current
  • High impedance to ground
  • Rapid charge/discharge
  • Excellent noise immunity
  • Suitable for high-frequency applications

応用

  • Energy-efficient inverters
  • Innovative PFC solutions
  • Precise servo motors

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series Ultra X2 Package Tube
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 17A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247 (IXTH) Package / Case TO-247-3
Base Product Number IXTH34

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・返金：90日以内

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