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IXTH48N65X2

IXTH48N65X2: Power Field-Effect Transistor product details

数量 単価(USD) 合計金額
1 $3.964 $3.96
10 $3.477 $34.77
30 $3.189 $95.67
100 $2.898 $289.80
500 $2.763 $1,381.50
1000 $2.703 $2,703.00

在庫：7,032

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概要 IXTH48N65X2

With a focus on innovation and performance, the IXTH48N65X2 product represents a significant leap forward in the realm of power semiconductor devices. Leveraging cutting-edge technology and a unique design approach, these Ultra-Junction MOSFETs deliver exceptional on-state resistances and exhibit low gate charges, making them ideal for high-power applications. Their superior dv/dt performance and avalanche capability not only enhance their ruggedness but also ensure reliable operation under challenging conditions. Additionally, the fast soft-recovery body diode incorporated in these devices helps to minimize switching losses and reduce electromagnetic interference, ultimately improving overall system efficiency

主な特長

  • Low power consumption
  • High speed operation
  • Advanced thermal management

応用

  • Customized motor control
  • High-performance PFC circuits
  • Efficient robotics solutions

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series Ultra X2 Package Tube
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 24A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4420 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 660W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247 (IXTH) Package / Case TO-247-3
Base Product Number IXTH48

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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