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IXTH88N30P

Featuring N-channel configuration

在庫：9,528

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概要 IXTH88N30P

N-Channel 300 V 88A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

主な特長

  • International standard package
  • Unclamped Inductive Switching (UIS)
  • rated
  • Low package inductance
  • - easy to drive and to protect

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V
Id - Continuous Drain Current 88 A Rds On - Drain-Source Resistance 40 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Qg - Gate Charge 180 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 600 W
Channel Mode Enhancement Series IXTH88N30
Brand IXYS Configuration Single
Fall Time 25 ns Product Type MOSFET
Rise Time 24 ns Factory Pack Quantity 30
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 96 ns Typical Turn-On Delay Time 25 ns
Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

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