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IXTN110N20L2

SOT227B-packaged single transistor module engineered for 200V operation and 100A current handling

数量 単価(USD) 合計金額
1 $46.014 $46.01
200 $17.808 $3,561.60
500 $17.181 $8,590.50
1000 $16.872 $16,872.00

在庫：9,586

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概要 IXTN110N20L2

The IXTN110N20L2 Power MOSFET sets a new standard for performance in applications where Power MOSFETs are operating in current saturation regions. These devices are engineered to handle the rigorous demands of linear-mode operation, offering low thermal resistances, high power density, and extended Forward Bias Safe Operating Areas (FBSOA). By suppressing the positive feedback of electro-thermal instability, these Power MOSFETs are able to expand their operating windows and withstand the high thermal and electrical stresses that can lead to failure in conventional devices. Designed with reliability in mind, Littelfuse LinearL2™ Power MOSFETs guarantee extended FBSOAs even at elevated temperatures of 75°C, ensuring consistent performance under challenging conditions

主な特長

  • Compact and lightweight design
  • Europec safety directive conformity
  • Thermal overload protection
  • Magnetic noise reduction technique

応用

  • Power management ICs
  • Energy-saving solutions
  • Voltage monitoring

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series Linear L2™ Package Tube
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 55A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 735W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number IXTN110

保証と返品

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