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MJD45H11T4G

80V PNP Transistor with 8A Current Rating and 1750mW Power Dissipation in DPAK Package

在庫:7,790

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概要 MJD45H11T4G

With the MJD45H11T4G Power Bipolar Junction Transistor, you can trust in its ability to handle the demands of power and switching output tasks. Its robust design and general-purpose functionality make it a valuable asset for various electronic projects. Whether you are designing a switching regulator, converter, or power amplifier, this transistor is sure to meet your requirements with precision and reliability

主な特長

  • Advanced Package Design for High Reliability
  • Surface Mount Capable with Low Profile
  • High Frequency Performance and Stability
  • Robust ESD Protection for Digital Circuits
  • Low Input Current Draws Minimal Power
  • Compact Size Ideal for Space-Constrained Systems

応用

  • Crisp and clear sound
  • Rich audio amplification
  • Top-notch sound performance

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active Compliance PbAHP
Package Type DPAK-3 Case Outline 369C
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 2500
ON Target N Polarity PNP
Type General Purpose VCE(sat) Max (V) 1
IC Cont. (A) 8 VCEO Min (V) 80
VEBO (V) 5 VBE(sat) (V) 1.5
hFE Min 60 PTM Max (W) 20
Pricing ($/Unit) $0.256

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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