MSC025SMA120B
MSC025SMA120B MOSFET: Harness the power of Silicon Carbide (SiC) with this 1200-volt device
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
---|---|---|
1 | $0.466 | $0.47 |
200 | $0.181 | $36.20 |
500 | $0.174 | $87.00 |
1000 | $0.171 | $171.00 |
在庫:5,084
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : MSC025SMA120B
-
パッケージ/ケース : TO-247-3
-
ブランド : Microchip Technology
-
コンポーネントのカテゴリ : Single FETs, MOSFETs
-
日付シート : MSC025SMA120B データシート (PDF)
概要 MSC025SMA120B
Introducing the latest addition to our SiC MOSFET device lineup, the MSC025SMA120B offers cutting-edge performance for a wide range of applications. Designed to maximize system efficiency, reduce system weight, and minimize size, this SiC solution from Microchip is ideal for industries seeking top-tier performance in their equipment. With a focus on reliability, the MSC025SMA120B ensures consistent performance throughout the lifespan of the end equipment, giving users peace of mind and confidence in their systems
主な特長
- High voltage rating and low gate threshold
- Low capacitance and fast switching speed
- High junction temperature stability and avalanche ruggedness
応用
SWITCHING仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Package | Tube | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 103A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232 nC @ 20 V |
Vgs (Max) | +25V, -10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020 pF @ 1000 V |
Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-3 |
Package / Case | TO-247-3 | Base Product Number | MSC025 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
FDMS86101
Power MOSFET with N-channel configuration, designed for operation at 100V voltage, capable of carrying currents up to 12
FDMS7692
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
FDMS8660AS
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A T/R
MMST3904-7-F
Surface Mount NPN Bipolar Transistor, 40 Volts, 200 Milliamps, 200 Milliwatts, SOT-323 Package, Tape and Reel
PMST2222A,115
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
FDMS86104
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
FDMS4D0N12C
High-power transistor for advanced switching application
PSMN011-60MSX
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
FDMS3572
MOSFET FDMS3572, also known as UltraFET PowerTrench MOSFET, is engineered to operate at 80V efficiently
FDMS7700S
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/22A 8-Pin DFN EP T/R