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MSC080SMA120B

SiC N-Channel MOSFET 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

在庫：6,289

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概要 MSC080SMA120B

Unlock the full potential of your systems with the MSC080SMA120B, a flagship product in our esteemed SiC MOSFET lineup. By harnessing the power of Silicon Carbide, Microchip's solution enables higher performance, reduced size and weight, and unmatched reliability. This synergy of innovation and expertise ensures that your equipment operates flawlessly, without compromising on efficiency or lifespan

主な特長

  • Low power consumption and high efficiency
  • Safe operating area and overcurrent protection
  • Short-circuit proof and surge immune
  • Long lifespan and low maintenance

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tube Product Status Active
FET Type N-Channel Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 20 V
Vgs (Max) +23V, -10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 838 pF @ 1000 V
Power Dissipation (Max) 200W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Supplier Device Package TO-247-3
Package / Case TO-247-3 Base Product Number MSC080

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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