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NVJD4152PT1G

Dual P−Channel Trench Small Signal ESD Protected MOSFET 20V, 0.88A, 260mΩ

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.174 $0.17
10 $0.145 $1.45
30 $0.132 $3.96
100 $0.117 $11.70
500 $0.110 $55.00
1000 $0.105 $105.00

在庫：7,958

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概要 NVJD4152PT1G

This AEC-Q101 Qualified MOSFET is fully PPAP capable, making it an excellent choice for automotive applications where stringent quality control and documentation standards are required. Whether it's used in engine control, lighting, or power management systems, the NVJD4152PT1G offers the performance and durability necessary to withstand the challenging conditions of the automotive environment

主な特長

  • Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Performance
  • Small Footprint Package (SC70−6 Equivalent)
  • ESD Protected Gate
  • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

応用

  • Load/Power Management
  • Charging Circuits
  • Load Switching

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Mfr onsemi Series -
Package Bulk Product Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide) Configuration 2 P-Channel
FET Feature Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 880mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 20V Power - Max 272mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Grade Automotive
Qualification AEC-Q101 Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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