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SI2393DS-T1-GE3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET SOT-23 , 22.7 m @ 10V m @ 7.5V 33 m @ 4.5V

在庫：6,202

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概要 SI2393DS-T1-GE3

P-Channel 30 V 6.1A (Ta), 7.5A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

主な特長

  • New high-side driver design
  • Increased voltage regulation performance
  • Advanced thermal monitoring capabilities
  • Silicon-based power conversion solutions
  • Fully integrated power management modules
  • Rapid prototyping and testing tools

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series TrenchFET® Gen IV Product Status Active
FET Type P-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.7mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.2 nC @ 10 V
Vgs (Max) +16V, -20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Base Product Number SI2393

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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