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SI4410BDY-T1-E3

Small-signal Silicon MOSFET SI4410BDY-T1-E3, featuring an N-channel design, rated for 7500 mA and 30 V

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.698 $0.70
10 $0.588 $5.88
30 $0.533 $15.99
100 $0.479 $47.90
500 $0.447 $223.50
1000 $0.431 $431.00

在庫：5,866

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概要 SI4410BDY-T1-E3

N-Channel 30 V 7.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

主な特長

  • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
  • TrenchFET® Power MOSFET
  • 100 % Rg Tested
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series TrenchFET® Product Status Obsolete
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±20V Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-SOIC Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number SI4410

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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