SI7157DP-T1-GE3
-20V Vds and 12V Vgs MOSFET suitable for power management tasks
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
---|---|---|
1 | $0.815 | $0.82 |
200 | $0.316 | $63.20 |
500 | $0.305 | $152.50 |
1000 | $0.300 | $300.00 |
在庫:8,083
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- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
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部品番号 : SI7157DP-T1-GE3
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パッケージ/ケース : PowerPAK-SO-8
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ブランド : Vishay
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コンポーネントのカテゴリ : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : SI7157DP-T1-GE3 データシート (PDF)
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Series : SI7157DP
概要 SI7157DP-T1-GE3
This transistor features a single-element design in a HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT package, making it environmentally friendly and compliant with industry standards. The plastic PowerPAK SOP-8 package provides a compact and durable housing for the transistor, facilitating easy integration into circuit designs
主な特長
- Advanced power MOSFET technology
- High-speed switching capability
- Suitable for industrial applications
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 60 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 2 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.4 V |
Qg - Gate Charge | 415 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 104 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI7 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 75 ns |
Forward Transconductance - Min | 120 S | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 120 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 230 ns | Typical Turn-On Delay Time | 115 ns |
Unit Weight | 0.017870 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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