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SI3410DV-T1-GE3

Vishay SI3410DV-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 30 V, 6-Pin TSOP

在庫:5,540

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概要 SI3410DV-T1-GE3

The TSOP-6 transistor case style allows for easy installation with its 6 pins, providing a secure connection in various electronic circuits. With an operating temperature maximum of 150°C, the SI3410DV-T1-GE3 is capable of withstanding high temperatures without compromising its performance. Additionally, this product meets MSL 1 - Unlimited standards, ensuring reliability and longevity in a variety of environments

主な特長

  • Quad-Port Power Sourcing Equipment (PSE) controller
  • IEEE 802.3at Type I and II compliant
  • Port priority shutdown control
  • Adds enhanced features for maximum design flexibility:
  •  Per-port current and voltage monitoring
  •  PoE Plus support with programmable current limits
  •  Multi-point detection
  •  Programmable power MOSFET gate drive control
  •  Configurable watchdog timer enables failsafe operation
  • Maskable interrupt pin
  • Comprehensive fault protection circuitry includes:
  •  Power undervoltage lockout
  •  Output current limit and short circuit protection
  •  Thermal overload detection
  • Supports pin-selectable AUTO mode
  • Extended operating temp range: –40 to +85 °C
  • 5x7 mm 38-pin QFN package (RoHS-compliant)
  • On-chip dc-dc converter enables single-rail power operation

応用

  • IEEE Power Sourcing Equipment (PSE)
  • Power over Ethernet (PoE) Switches
  • IP Phone Systems
  • Smartgrid Switches
  • Ruggedized and Industrial Switches

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TSOP-6 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 8 A Rds On - Drain-Source Resistance 19.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Qg - Gate Charge 33 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 4.1 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI3 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Height 1.1 mm
Length 3.05 mm Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Width 1.65 mm Part # Aliases SI3410DV-GE3
Unit Weight 0.000705 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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