SI3483CDV-T1-GE3

Name: SI3483CDV-T1-GE3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

P-Channel Silicon MOSFET

数量	単価(USD)	合計金額
1	$0.437	$0.44
10	$0.364	$3.64
30	$0.333	$9.99
100	$0.296	$29.60
500	$0.251	$125.50
1000	$0.241	$241.00

在庫：7,730

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部品番号 : SI3483CDV-T1-GE3
パッケージ/ケース : TSOP-6
Brand : Siliconix
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SI3483CDV-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI3483CDV

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概要 SI3483CDV-T1-GE3

Vishay's SI3483CDV-T1-GE3 is a high-quality P Channel Mosfet designed for demanding electronic applications. With a 30V drain source voltage and a continuous drain current of 8A, this transistor delivers powerful performance in a compact, surface-mount package. Its 6 pins and Rds(On) test voltage of 10V make it easy to integrate into your circuit designs, and its maximum gate source threshold voltage of 3V ensures precise control. While this product is not RoHS compliant, it offers exceptional reliability and durability for your electronic projects

主な特長

Improved power efficiency guaranteed
Suitable for DC-DC converters
Compliant with IEC standards

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	TSOP-6
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	8 A
Rds On - Drain-Source Resistance	34 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V	Qg - Gate Charge	33 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	4.2 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI3
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Single
Fall Time	15 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	135 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns	Typical Turn-On Delay Time	45 ns
Part # Aliases	SI3483CDV-T1-BE3 SI3483CDV-GE3	Unit Weight	0.000705 oz

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