SI3585CDV-T1-GE3

Name: SI3585CDV-T1-GE3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - MOSFET, N/P-CH, 20V, 3.9A, TSOP-6

在庫：7,143

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部品番号 : SI3585CDV-T1-GE3
パッケージ/ケース : TSOP-6
Brand : Siliconix
Components Classification : FET, MOSFET Arrays
日付シート : SI3585CDV-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI3585CDV

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概要 SI3585CDV-T1-GE3

The SI3585CDV-T1-GE3 comes in a compact MO-193AA package, making it easy to integrate into circuit boards with limited space. Additionally, this transistor is halogen-free and RoHS compliant, meeting the latest environmental standards for electronics manufacturing. The TSOP-6 configuration further enhances compatibility with modern PCB layouts, ensuring easy installation and reliable performance in a variety of applications

主な特長

None

応用

Load Switch for Portable Devices |DC/DC Converters |Drivers: Motor, Solenoid, Relay

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	TSOP-6
Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V	Id - Continuous Drain Current	2.1 A, 3.9 A
Rds On - Drain-Source Resistance	58 mOhms, 195 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	600 mV	Qg - Gate Charge	3.2 nC, 6 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	1.3 W, 1.4 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI3
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Dual
Fall Time	9 ns, 28 ns	Forward Transconductance - Min	1 S, 12 S
Height	1.1 mm	Length	3.05 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	16 ns, 37 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel, 1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	13 ns, 25 ns
Typical Turn-On Delay Time	15 ns, 16 ns	Width	1.65 mm
Part # Aliases	SI3585CDV-GE3	Unit Weight	0.000705 oz

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