SI1062X-T1-GE3

Name: SI1062X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

SI1062X-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 530 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 Vishay

数量	単価(USD)	合計金額
1	$0.155	$0.16
10	$0.127	$1.27
30	$0.114	$3.42
100	$0.100	$10.00
500	$0.094	$47.00
1000	$0.089	$89.00

在庫：8,694

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部品番号 : SI1062X-T1-GE3
パッケージ/ケース : SC-89
Brand : Vishay Siliconix
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SI1062X-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI1062X

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概要 SI1062X-T1-GE3

The SI1062X-T1-GE3 MOSFET transistor provides N-channel functionality with a maximum drain current of 530mA and a voltage rating of 20V. Its low on-resistance of 0.35ohm and threshold voltage of 1V make it ideal for efficient power management in compact electronic circuits. The SC-89 package offers a space-saving solution without compromising on performance. With a power dissipation capability of 220mW, this transistor can operate reliably in temperature environments up to 150°C. The TrenchFET Series product is designed to meet the demanding requirements of automotive and industrial applications, ensuring high quality and durability. It complies with MSL 1 - Unlimited standards and does not contain any SVHC, making it a sustainable choice for environmentally conscious projects

主な特長

Excellent thermal stability
Precise DC-DC conversion

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	TrenchFET®	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	530mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7 nC @ 8 V
Vgs (Max)	±8V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	43 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	220mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	SC-89-3
Package / Case	SC-89, SOT-490	Base Product Number	SI1062

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