SI1480DH-T1-GE3

Name: SI1480DH-T1-GE3
Brand: Vishay
Rating: 4.5 (10 reviews)

Small Signal Field-Effect Transistor

在庫：6,021

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部品番号 : SI1480DH-T1-GE3
パッケージ/ケース : SOT-363-6
Brand : Vishay
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SI1480DH-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI1480DH

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概要 SI1480DH-T1-GE3

Engineered for efficiency and durability, the SI1480DH-T1-GE3 is a versatile semiconductor component suitable for a range of electronics projects. Its N-Channel design allows for high conductivity and low resistance, making it ideal for amplification and signal processing tasks. The HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT certification highlights the manufacturer's commitment to sustainable and eco-friendly practices

主な特長

New generation power technology
Advanced power device solutions
Silicon-based switching innovations
Efficient energy transmission systems
Rugged and reliable performance guaranteed
High-speed switching and precision control

応用

Power modules
Rectifier circuits
Motor drives

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-363-6	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	2.6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	200 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.8 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Single
Fall Time	13 ns	Height	1 mm
Length	2.1 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	45 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	11 ns	Typical Turn-On Delay Time	15 ns
Width	1.25 mm	Part # Aliases	SI1480DH-T1-BE3
Unit Weight	0.000265 oz

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