SI2337DS-T1-GE3
SI2337DS-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 1.75 A, 80 V, 3-Pin SOT-23 Vishay
| 数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
|---|---|---|
| 1 | $0.603 | $0.60 |
| 10 | $0.499 | $4.99 |
| 30 | $0.446 | $13.38 |
| 100 | $0.395 | $39.50 |
| 500 | $0.331 | $165.50 |
| 1000 | $0.315 | $315.00 |
在庫：7,574
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部品番号 : SI2337DS-T1-GE3
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パッケージ/ケース : TO-236-3
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Brand : Vishay Siliconix
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Components Classification : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : SI2337DS-T1-GE3 データシート (PDF)
概要 SI2337DS-T1-GE3
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
主な特長
- Improved reliability
- Reduced noise emission
- Enhanced thermal conductivity
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Series | TrenchFET® | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (Max) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) | Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Base Product Number | SI2337 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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