SI3433CDV-T1-GE3

Name: SI3433CDV-T1-GE3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

Vishay SI3433CDV-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 6 A, -20 V, 6-Pin TSOP

在庫：9,351

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部品番号 : SI3433CDV-T1-GE3
パッケージ/ケース : TSOP-6
Brand : Siliconix
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SI3433CDV-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI3433CDV

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概要 SI3433CDV-T1-GE3

The SI3433CDV-T1-GE3 MOSFET is a P-Channel transistor designed for applications requiring a continuous drain current of -6A and a drain-source voltage of -20V. With an on-resistance of 0.031ohm and a threshold voltage of -1V, this transistor offers efficient performance in a compact TSOP case style with 6 pins. It has a power dissipation of 3.3W and is part of the TrenchFET Series product range

主な特長

TrenchFET® power MOSFET

応用

Load Switch
Notebook

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TSOP-6	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	38 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	18 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	3.3 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI3	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	20 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	22 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	50 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns	Part # Aliases	SI3433CDV-T1-BE3 SI3433CDV-GE3
Unit Weight	0.000705 oz

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