SI4190ADY-T1-GE3

Name: SI4190ADY-T1-GE3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

Vishay SI4190ADY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 18.4 A, 100 V, 8-Pin SOIC

在庫：7,824

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部品番号 : SI4190ADY-T1-GE3
パッケージ/ケース : SOIC-8
ブランド : Siliconix
コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SI4190ADY-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI4190ADY

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概要 SI4190ADY-T1-GE3

Featuring a Transistor Polarity of N Channel, the SI4190ADY-T1-GE3 MOSFET offers a seamless integration into circuit designs. Its 8-pin SOIC Transistor Case Style allows for easy installation and connectivity. The wide Operating Temperature Range of -55°C to +150°C ensures versatility in various operating conditions. With a compact design and high power capabilities, this MOSFET is ideal for high-performance applications in industries such as automotive, industrial, and consumer electronics

主な特長

Silicon-based component
Low power consumption
High reliability guarantee

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	SOIC-8
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	18.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance	7.3 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V	Qg - Gate Charge	67 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	6 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	10 ns
Forward Transconductance - Min	54 S	Height	1.75 mm
Length	4.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	11 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	31 ns	Typical Turn-On Delay Time	15 ns
Width	3.9 mm	Part # Aliases	SI4190ADY-GE3
Unit Weight	0.006596 oz

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