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SI4447ADY-T1-GE3

MOSFET with P-Channel and 40V Drain-Source Voltage

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.211 $0.21
10 $0.172 $1.72
30 $0.156 $4.68
100 $0.134 $13.40
500 $0.125 $62.50
1000 $0.120 $120.00

在庫:6,285

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概要 SI4447ADY-T1-GE3

The SI4447ADY-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor with a 7.2A I(D) and a 40V voltage rating. It is a P-channel, silicon, metal-oxide semiconductor FET that comes in a MS-012AA package. This transistor is HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, making it a reliable and environmentally friendly option for electronic devices. It is designed for use in a variety of applications where high performance and efficiency are required. The MS-012 package features a SOIC-8 form factor, making it easy to integrate into existing circuit designs

主な特長

  • High voltage handling capability
  • Surface mountable package available
  • Durable performance over time

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SOIC-8
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V Id - Continuous Drain Current 7.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance 45 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V Qg - Gate Charge 25 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 4.2 W Channel Mode Enhancement
Tradename TrenchFET Series SI4
Brand Vishay Semiconductors Configuration Single
Fall Time 9 ns Forward Transconductance - Min 14 S
Height 1.75 mm Length 4.9 mm
Product Type MOSFET Rise Time 12 ns
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 30 ns
Typical Turn-On Delay Time 7 ns Width 3.9 mm
Unit Weight 0.006596 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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