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SIR638DP-T1-GE3

Power MOSFET engineered for efficient power management

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.437 $0.44
10 $0.429 $4.29
30 $0.422 $12.66
100 $0.416 $41.60

在庫：5,689

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概要 SIR638DP-T1-GE3

The SIR638DP-T1-GE3 is a cutting-edge 60V N-channel MOSFET that boasts impressive specifications for power management applications. With a drain-to-source voltage of 60V and a continuous drain current of 34A, this MOSFET can handle high power loads with ease. Its ultra-low on-resistance of 6.9mΩ at 10V gate-to-source voltage ensures minimal power losses, making it a top choice for efficiency-focused projects

主な特長

  • Improved performance
  • Compact form factor
  • Fully integrated solution

応用

  • Efficient power management systems
  • Industrial LED lighting solutions
  • Compact voltage regulators

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case PowerPAK-SO-8
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V Id - Continuous Drain Current 100 A
Rds On - Drain-Source Resistance 880 uOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 16 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.3 V Qg - Gate Charge 204 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 104 W Channel Mode Enhancement
Tradename TrenchFET, PowerPAK Series SIR
Brand Vishay / Siliconix Configuration Single
Fall Time 10 ns Product Type MOSFET
Rise Time 21 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time 52 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns Unit Weight 0.017870 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

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