SI1443EDH-T1-GE3

Name: SI1443EDH-T1-GE3
Brand: Vishay
Rating: 4.5 (10 reviews)

High Efficiency Power Semiconductor

在庫：6,802

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P-Channel 30 V 4A (Tc) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

TrenchFET® power MOSFET

Typical ESD performance 1500 V HBM

100 % Rg tested

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-363-6	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	43 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	28 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI1	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	435 ns
Height	1 mm	Length	2.1 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	220 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	1115 ns
Typical Turn-On Delay Time	125 ns	Width	1.25 mm
Part # Aliases	SI1443EDH-T1-BE3 SI1443EDH-GE3	Unit Weight	0.000265 oz

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