SI2305CDS-T1-GE3

Name: SI2305CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
Rating: 4.5 (10 reviews)

Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel Silicon MOSFET, 1-Element

数量	単価(USD)	合計金額
5	$0.085	$0.42
50	$0.074	$3.70
150	$0.069	$10.35
500	$0.062	$31.00
3000	$0.059	$177.00
6000	$0.057	$342.00

在庫：8,501

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部品番号 : SI2305CDS-T1-GE3
パッケージ/ケース : SOT23-3
Brand : Vishay
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SI2305CDS-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI2305CDS

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概要 SI2305CDS-T1-GE3

The SI2305CDS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of -5.8A and a drain-source voltage of -8V. With an on resistance of 28mohm and a maximum power dissipation of 960mW, this transistor operates efficiently even in temperatures ranging from -55°C to +150°C. The SOT-23 package style provides a compact and versatile option for various circuit designs, with 3 pins for easy integration. Despite not containing any SVHC, this transistor can handle a maximum voltage of 8V while delivering a maximum current of -5.8A

主な特長

None

応用

Load Switch for Portable Devices |DC/DC Converter

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	8 V
Id - Continuous Drain Current	5.8 A	Rds On - Drain-Source Resistance	35 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	12 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.7 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	10 ns
Height	1.45 mm	Length	2.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	20 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	40 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3	Unit Weight	0.000282 oz

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